Película de proceso de producción de semiconductores NITOFLON™ Película de liberación para procesos de desmoldado: serie MPS

La serie MPS está formada por productos con película de liberación de PTFE para procesos de desmoldado, que presentan una alta resistencia al calor y una soltura superiores.

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Características

El intervalo de temperatura de funcionamiento recomendado es de -100 °C a 260 °C para uso continuo y se puede utilizar incluso a temperaturas más altas en períodos cortos.
Las sustancias adhesivas raramente se adhieren a la película, e incluso si lo hicieran, se pueden eliminar fácilmente.
Las líneas de producto son tipo Estándar, de Baja expansión térmica y de Alta resistencia/alta contracción térmica.

Estructura

Aplicaciones

Desmoldado en el proceso de sellado con resina de chips semiconductores
Liberación de la resina
Protección de moldes frente al exceso de resina de sellado
Reducción de disolventes

Propiedades

Propiedad		Unidad	(Nitto) Película de PTFE t0,05 mm
Propiedad		Unidad	MPS-10	MPS-11	MPS-13
Resistencia a la tensión	MD	MPa	50	58	79
Resistencia a la tensión	TD	MPa	40	38	39
Alargamiento	MD	％	300	258	120
Alargamiento	TD	％	340	351	335
Coeficiente de expansión térmica	MD	10^-6/°C	0	33	-527
Coeficiente de expansión térmica	TD	10^-6/°C	333	186	219
Aspereza de la superficie		um	0,27	0,20	Superficie brillante 0,24 Superficie mate 0,36
Punto de fusión		℃	370
Temperatura utilizable (Uso continuo)		℃	260
Características			Estándar	Baja expansión térmica	・Alta resistencia ・Alta contracción térmica

*Estos datos representan ejemplos de valores medidos, no garantizados.

Vídeo experimental

Resistencia al calor Su navegador no acepta fotogramas tipo iFrame	Propiedades de deslizamiento Su navegador no acepta fotogramas tipo iFrame	Aislamiento eléctrico Su navegador no acepta fotogramas tipo iFrame

Resistencia química Su navegador no acepta fotogramas tipo iFrame	Propiedades de desmoldado Su navegador no acepta fotogramas tipo iFrame	Resistencia climática Su navegador no acepta fotogramas tipo iFrame

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