日东电工株式会社 (Nitto Denko)（总部：日本大阪；社长：髙崎秀雄，以下简称“Nitto”）今日宣布与 IBM 签署一项联合开发协议，双方将在先进封装技术与材料研究方面展开合作。根据该协议，研究人员将共同评估新型高分子材料在先进封装工艺中的潜在使用案例。

在半导体封装领域，针对 AI 应用（如芯粒）的先进封装开发正日益加速。然而，对 RDL 中介层更高布线密度及更大封装尺寸的需求，带来了封装翘曲和热膨胀等新问题。此次合作旨在通过评估新材料，提升半导体封装的热机械可靠性，从而解决这些挑战。

Nitto 董事、高级执行副总裁、首席技术官、企业技术部总经理 Yosuke Miki 表示：“Nitto 很高兴能与 IBM 研究院合作，共同推进材料研究，开发下一代 RDL 技术。材料的进步一直在支持半导体器件和封装技术的创新。通过这次合作，我们希望推动先进封装技术的材料研究，以持续满足 AI 的需求与挑战。”

IBM 半导体全球研发及奥尔巴尼运营副总裁、IBM 研究院 Huiming Bu 表示：“我们很高兴能与 Nitto 合作，推进先进封装材料研究。IBM 一直处于芯粒及先进封装技术开发的前沿，以应对 AI 时代的需求。本次合作使我们能够将这些专长与 Nitto 在材料开发方面的优势结合起来。”

除了高分子材料外，该协议还包括对 Nitto 先进封装材料的联合研究。两家公司正在开展广泛的联合研发，包括应用于降低封装基板热膨胀与翘曲的材料，以及减少细密布线间串扰噪声的技术。