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웨이퍼 척 테이블용 세정제 Cleaning Wafer™

Cleaning Wafer는 반도체 제조 장비의 로봇 암 또는 척 테이블에 있는 작은 입자를 제거하기 위해 사용됩니다.

Cleaning Wafer는 특수 세정층이 있어 반도체 제조 장비에서 미립자를 제거할 수 있습니다. Cleaning Wafer를 사용하면 일반적인 수작업 세정 방식보다 장치들의 가동 중단 시간을 크게 줄일 수 있습니다. 예방 목적의 유지보수 작업에도 Cleaning Wafer를 사용하여 수율 향상을 기대할 수 있습니다.

특징

  • Cleaning Wafer에는 탁월한 세정 성능과 안정적인 이송 성능을 제공하는 특수 세정층이 있습니다.
  • 탄성 계수가 높고 척 테이블을 오염시키지 않는 특수 입자 제거층을 사용합니다.
  • 진공 챔버 내 입자 세정에 필요한 장비 가동중단 시간이 단축될 수 있습니다.
  • Cleaning Wafer를 사용한 세정 작업은 매우 간단하고 쉽습니다.
  • 포착할 수 있는 입자 크기가 광범위합니다.

구조/사양

항목 CW1000
구조 wafer_001_img_structures_EN
총 두께 720~900(μm)
표면 경도 500Mpa(22°C)
작동 온도 -20~50℃ ※1
크기 6인치: 오리엔탈 플랫
8/12인치: V-노치
입자 유형 Si, 금속(유기)
입자 크기 0.2μm 이상(측정 값)

※1 작동 온도가 50 °C보다 높은 경우 회사로 문의하시기 바랍니다. .

적용/참조

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장비 효과
건식 에칭 냉각 헬륨 가스 안정화
유지보수 시간 단축
프로버 정기 유지보수 빈도 감소
리토그래피 진공 오류 감소
초점 오류 감소
유지보수 시간 단축
이온 주입 정기 유지보수 빈도 감소
장치 유형 대상
메모리/로직 드라이 에쳐, 리소그래피, 스테퍼
전원 장치 스테퍼, 프로버
Saw/Baw 필터 드라이 에쳐, 스패터링
MEMS 드라이 에쳐

가동 중단 시간 개선

CW1000을 사용하면 대기 중으로 개방되는 일반적인 챔버 세정에 비해 가동 중단 시간이 단축될 수 있습니다.
※개방형 대기 세정 전에 시간을 연장할 수 있습니다.

연락처

영업시간 (한국시간) 09:00-17:00(토∙일 공휴일 제외)

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