O wafer de limpeza, tendo uma camada especial de limpeza, pode remover pequenas partículas no equipamento de fabricação do semicondutor. O tempo ocioso das ferramentas pode ser drasticamente reduzido ao utilizar o wafer de limpeza, comparado com o método comum de limpeza manual. O wafer de limpeza pode também ser usado para manutenção preventiva de modo que a melhora do rendimento possa ser esperada.
| Item | CW1000 | 
| Estrutura |   | 
| Espessura total | 720 ~ 900 (μm) | 
| Dureza da superfície | 500 Mpa (22 °C) | 
| Temperatura de operação | ~ 20 ~ 50 °C ※1 | 
| Tamanho | 6 polegadas: Plano oriental 8/12 polegadas: Entalhe em V | 
| Tipo de partícula | Si, Metal (Orgânico) | 
| Tamanho da partícula | 0,2 μm ou mais (valor de medição) | 
※1 Consulte-nos caso a temperatura de operação for maior do que 50 °C .
|  | Equipamentos | Efeito | 
| Gravura seca | Estabilizar o gás hélio de resfriamento | |
| Reduzir o tempo de manutenção | ||
| Sondagem | Reduzir a frequência de manutenção regular | |
| Litografia | Reduzir erro de vácuo | |
| Reduzir o erro de foco | ||
| Reduzir o tempo de manutenção | ||
| Implementação de íons | Reduzir a frequência de manutenção regular | |
| Tipos de dispositivos | Meta | |
| Memória/Lógica | Gravura a seco, litografia, passo a passo | |
| Dispositivo de alimentação | Passo a passo, sonda | |
| Serra/Filtro de serra | Gravura a seco, espalhamento | |
| MEMS | Gravura a seco | 
|  | 
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