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Nastro per lavorazione wafer semiconduttore SWT 10+R

Nastro protettivo per trasformazione del wafer semiconduttore

Il nastro protettivo per semiconduttore Nitto SWT 10+R è stato sviluppato per il processo di suddivisione in piastrine dei semiconduttori. Questo prodotto è costituito da una pellicola in PVC trasparente blu rivestita con un adesivo a base acrilica sensibile alla pressione, realizzato in camera bianca. Per facilitare lo sbobinamento, il supporto della pellicola in PVC è rivestito da un distaccante siliconico Il prodotto ha l'anima in plastica. I rotoli vengono confezionati singolarmente in un sacchetto antistatico in doppio strato di polietilene, su cui viene applicato il numero di lotto.

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Caratteristiche

  • Eccellente grado di deformazione
  • Eccellente livello di adesione
  • Facile srotolamento
  • Riciclabile
  • Prodotto in un ambiente pulito
  • Conforme REACH

Struttura

  1. Adesivo pressure sensitive a base acrilica
  2. Pellicola in PVC blu trasparente di eccezionale qualità
  3. Rivestimento a base siliconica

Caratteristiche

Tipo pellicola     Pellicola in PVC plastificata
Tipo adesivo A base acrilica
Spessore totale 0,075 mm EN 1942
Spessore supporto 0,065 mm    
Spessore adesivo 0,010 mm
Adesione al wafer di silicio 120 cN/20 mm JIS Z 0237*
Forza di srotolamento 60 cN/20 mm EN 1944
Resistenza alla trazione machine direction 55 N/20 mm EN 14410
Allungamento machine direction 260% EN 14410
Contenuto di impurità < 3 ppm Analisi cromatografica ioni
Colore Blu trasparente
Condizioni di trasporto e stoccaggio Temperatura tra 15 e 30 °C
Umidità relativa tra 40 e 75% RH

* Misurato su wafer lucidato CZ-N da 4 pollici (100) 2.5-3.5 (Shinethu Handoutai co.). Angolo di pelatura 90°.

I dettagli sui metodi di test sono descritti nelle specifiche del prodotto per il cliente.
ATTENZIONE: Quelli indicati sopra sono valori tipici; non devono essere usati nelle specifiche in forma scritta.

Applicazione

Il nastro protettivo per semiconduttori Nitto SWT 10+R è il prodotto ideale per la lavorazione dei wafer di silicio, da applicare sul lato posteriore del wafer (lato non attivo).

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