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Nastro a rilascio termico per substrati rigidi NWS-TS322F

In grado di lavorare i wafer sgretolabili.

In grado di rilasciare/raccogliere i wafer per semiconduttori in qualsiasi piano tramite il supporto costante del wafer per semiconduttore usando un wafer di supporto. Consigliato particolarmente per il processo di riduzione spessore wafer per semiconduttori.

Caratteristiche

  • Capacità di molatura estremamente sottile.
  • Elimina le deformazioni e gli abbassamenti supportando saldamente il wafer.
  • Si rilascia facilmente in qualsiasi momento con un trattamento termico.

Struttura

Caratteristiche

Cod. prodotto NWS-TS322F
Spessore [µm] 148
Adesione dell'adesivo a rilascio termico
(stato normale) [N/20 mm] (su silicio)
1,7
Adesione dell'adesivo a rilascio termico
(dopo trattamento termico) [N/20 mm] (su silicio)
0,2 o meno
Adesione dell'adesivo sensibile alla pressione
[N/20 mm] (su silicio)
1,5

[Note]

  • *I valori indicati sono valori osservati a campione; non sono le prestazioni garantite.

Sequenza del processo

[Note]

  • * Dopo la rimozione di questo nastro, i materiali a volume ultrabasso (elementi organici) del foglio adesivo possono rimanere sul substrato. Le particelle tendono a rimanere, in particolare sui wafer di silicio. Verificate che il materiale residuo o le particelle non causino problemi con l'applicazione.

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