支持ウエハにより半導体ウエハを常に保持し、任意のタイミングで半導体ウエハをはく離・回収できます。特に、半導体ウエハ表面加工工程があるプロセスに推奨します。
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| 品番 | NWS-TS322F |
| 厚さ [μm] | 148 |
| 熱はく離層粘着力（常態）
[N/20mm]（対シリコン） | 1.7 |
| 熱はく離層粘着力（加熱後）
[N/20mm]（対シリコン） | 0.2以下 |
| 感圧粘着層粘着力
[N/20mm]（対シリコン） | 1.5 |
[補足]
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